【專利讓與及授權】國科會計畫產出專利公告(3件)-1130608

項次

技術名稱

專利證書號

摘要

專利期

1

含咔啉基團之有機電激發光材料及有機電激發光裝置

I631130

一種有機電激發光材料，係具有下列通式(1)之結構：
其中R3係為咔啉基團，R13係為咔唑基團或咔啉基團，R1至R2、R4至R12、R14至R20係選自於分別獨立之氫原子、氟原子、氰基、烷基、環烷基、烷氧基、鹵烷基、硫烷基、矽烷基及烯基的其中之一。

2018/08/01-2036/08/02

2

影像雨紋去除方法

I734598

一種影像雨紋去除方法，其包括：(1)提供具有雨紋的輸入影像。(2)利用卷積層和線性整流激活函數與輸入影像相乘，取得初階影像。(3)利用卷積神經網路，卷積神經網路根據初步影像取得第一雨紋影像。(4)利用卷積層和線性整流激活函數與輸入影像和第一雨紋影像相乘，取得二階影像。(5)利用卷積神經網路，卷積神經網路根據二階影像取得第二雨紋影像。(6)將第二雨紋影像和輸入影像相減，取得輸出影像。

2021/07/21- 2040/08/25

3

纳米双晶结构

CN111463185B

本发明提供一种纳米双晶结构，沉积于基板的表面上。所述纳米双晶结构包括至少一区块，且所述区块含有多个纳米双晶。每一纳米双晶具有面心立方晶体结构。所述多个纳米双晶沿[111]晶轴方向进行堆叠。所述纳米双晶结构的少于50％的表面以(111)面作为择优取向。

2020/07/28 -2039/07/08