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專利證書號

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專利期

1

具金屬氧化物陶瓷材料之半導體場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）及其製法

I474406

一種具金屬氧化物陶瓷材料之半導體場效電晶體(MOSFET)及其製法，其中該製法係包括：提供一基板；形成一具金屬氧化物陶瓷材料之第一半導體層於基板上；形成一絕緣層以突設於第一半導體層上，且將第一半導體層區隔成有至少兩間隔之區塊；形成一具離子植入之第二半導體層位於第一半導體層之兩區塊下；形成一第一導電層於第二半導體層上，以具有一源極電極及一汲極電極；以及形成一第二導電層於絕緣層上，以具有一閘極電極。由前述，此電晶體有別於與矽材電晶體不同的物理與化學特性，可擴展其應用範圍，及加工簡單，可降低製作成本。

2015/02/21-2029/09/17